フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない半導体メモリ です。区分的にはEEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種ですが、1バイト単位の書込みを行う従来のEEPROMとは異なりブロック単位での書き換えを行います。

急激な低価格化の影響もあり、USBメモリやメモリーカードの内部に組み込まれ、携帯電話，デジタルカメラ，デジタルオーディオプレーヤーなどの記憶媒体として広く普及しています。

• 高速に書換えができ，CPUのキャッシュメモリに用いられる。
  SRAM(Static RAM)の説明です。
• 紫外線で全データ一括消去できる。
  UV-EPROM(紫外線消去型EEPROM)の説明です。
• 周期的にデータの再書込みが必要である。
  DRAM(Dynamic RAM)の説明です。
• ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
  正しい。フラッシュメモリの特徴です。

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